陶氏化學於韓國天安設的三甲基鎵(TMG)新廠動工興建
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人瀏覽 四, 2010/11/04 - 11:19 — wendymeng
美國化工業龍頭陶氏化學(Dow Chemical Co.)子公司Dow Electronic Materials宣佈，其位於南韓天安(Cheonan)的三甲基鎵(TMG)新廠已經動工興建，預計2011年初便可投產。
三甲基鎵為一種有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)的前驅物質，對於LED以及其他化合物半導體元件的生產極為重要。
Dow Electronic Materials指出，韓國天安新廠，為2010年6月宣佈的分階段擴產計劃當中的一環。這項整體擴產計劃，年產能可望增加60噸。而美國現有廠區的產能擴增計劃正如期進行中，2010年底至2011年Q1間將陸續有新產能開出。
Dow Electronic Materials目前在美國麻州North Andover生產三甲基鎵與其他有機金屬前驅物，封裝工作則在North Andover與台灣桃園兩地進行。陶氏化學與液晶玻璃基板暨光纖大廠康寧(Corning)合資公司Dow Corning Corp.在韓國Jincheon另設有一座專門生產LED用矽膠的工廠。
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